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TT8M2
Data Sheet
300
Ta=25°C
10
V GS =0V
5
250
Pulsed
Pulsed
4
200
I D = -2.5A
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
3
150
Ta=-25°C
2
100
0.1
Ta=25°C
V DD = -10V
50
0
I D = -1.2A
0.01
1
0
I D = -2.5A
R G =10 ?
Pulsed
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
2
4
6
8
10
12
14
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.11 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10000
10000
Ta=25°C
V DD = -10V
1000
Ciss
1000
t d (off)
t f
V GS =-4.5V
R G =10 ?
Pulsed
Coss
100
100
Crss
10
Ta=25°C
f=1MHz
t r
t d (on)
10
V GS =0V
1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.14 Switching Characteristics
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
7/8
2009.06 - Rev.A
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